Прорыв ИТМО в создании сверхтонкой памяти Учёные ИТМО открыли новое семейство металл-органических кристаллов, способных самостоятельно превращаться из объёмных 3D-структур в ультратонкие 2D-плёнки. Это упрощает и удешевляет производство перспективных материалов для мемристоров и ReRAM — энергонезависимой памяти нового поколения, востребованной в ИИ-системах. Кристаллы выращивают методом растворной химии без дорогой литографии. После синтеза их достаточно высушить на воздухе — координационные связи между слоями разрушаются, и структура «рассыпается» на отдельные 2D-кристаллы толщиной от 4 нанометров. При этом электронные свойства материала улучшаются по сравнению с исходной 3D-формой. Технология позволяет из одного 3D-кристалла получать до десятка готовых к использованию 2D-слоёв. Результаты открывают путь к созданию доступной и миниатюрной элементной базы для микроэлектроники, систем хранения данных и аппаратных ускорителей искусственного интеллекта. ПромТех